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Máquina seccionadora manual CT-250S/CT-250V
CT-250S/250V es una máquina seccionadora manual diseñada teniendo en cuenta principios de segurid...
#SiCCeramica #EBSD #Preparación de muestras metalográficas #Material semiconductor #Pruebademateriales
Carburo de silicio (SiC) presentan una excelente conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas, resistencia al desgaste y a la corrosión, ampliamente adoptadas en la fabricación de semiconductores, nuevas energías fotovoltaicas, protección térmica aeroespacial y metalurgia de altas temperaturas. Su desempeño en servicio está dominado por la morfología del grano, las condiciones de los límites del grano y la tensión residual.
EBSD sirve como método de caracterización esencial para analizar la orientación del grano, la textura y los microdefectos del SiC. Los datos confiables de EBSD guían la optimización de la sinterización y evitan fallas en los componentes. La preparación precisa de la muestra determina el éxito de la indexación EBSD para cerámicas de SiC duras y quebradizas. Los papeles de lija estándar fallan al lijar; Se requieren discos de diamante más pulido vibratorio.
Figura 1: Micrografía de muestra de cerámica de carburo de silicio (SiC) (Escala: 300 μm)
Figura 2: Micrografía de muestra de cerámica de carburo de silicio (SiC) (Escala: 300 μm)
Nuestro procedimiento de preparación de SiC EBSD:
1️⃣ Desbaste con disco de diamante P400 para planarización
2️⃣ Rectificado fino: almohadilla POS Suspensión de diamante PD-WT de 9 μm
3️⃣ Pulido rugoso: paño SC-JP Suspensión PD-WT de 3μm
4️⃣ Pulido intermedio: suspensión de tela ZN-ZP AO-A439
5️⃣ Pulido vibratorio final: suspensión de tela ZN-ZP AO-A439
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